APEC: พลังงาน SiC และเครื่องมือพลังงานคลาวด์ขั้นสูง

ความสามารถในการค้นหาได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น และมีเมนูแบบหมุนที่ช่วยให้คุณสามารถเลือกอุปกรณ์และบอร์ดที่เข้ากันได้ บริษัทกล่าวว่า: “วิศวกรสามารถจำกัดตัวเลือกให้แคบลงสำหรับส่วนประกอบและโซลูชันระบบที่ใช้งานได้ และมีความมั่นใจในประสิทธิภาพของระบบก่อนที่จะเริ่มดำเนินการ ค้นหาฮาร์ดแวร์และออกแบบให้เสร็จสิ้น "

การสาธิตที่ APEC ประกอบด้วยเครื่องสาธิตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) สามเฟส (SiC) ขนาด 11 kV (100 kHz) (การแก้ไขตัวประกอบกำลัง) ที่สร้างขึ้นรอบๆ Mosfet Onh ​​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~80 mOhm, TO247) และ ตัวขับเกต NCP51705 - ซึ่งรวมถึงปั๊มชาร์จเพื่อสร้างอคติเชิงลบที่จะปิด SiC Mosfet

บนพื้น eFuse

นอกจากนี้ บนจอแสดงผลจะมี eFuse “เซ็นเซอร์พาสซีฟอัจฉริยะ” สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม โซลูชัน USB-PD (การส่งพลังงาน) ความหนาแน่นสูง ลูปป้อนกลับแบบแคลมป์แบบแอคทีฟ และโมดูลพลังงานตัวขับมอเตอร์

เพื่อโปรโมต Strata จะมีการนำเสนอบทความที่มีชื่อว่า "Satisfying a Designer's Want List Under Pressure with All the Tools You Need in One Toolbox" (19 มีนาคม เวลา 13.30 น. ห้อง 303AB)

การนำเสนออื่น: “ลักษณะเฉพาะ ความน่าเชื่อถือ และผลลัพธ์ในยุคสมัยใหม่